PHOENIX菲尼克斯繼電器的構(gòu)造與缺點有些什么不樣
1.PHOENIX菲尼克斯繼電器有三部分組成:輸入電路,隔離(耦合)和輸出電路。安輸入電壓的不同類別,輸入電路可分為直流輸入電路,交流輸入電路和交直流輸入電路三種。有些輸入控制電路還具有與TTL/CMOS兼容,正負邏輯控制和反相等功能。固態(tài)繼電器的輸入與輸出電路的隔離和耦合方式有光電耦合和變壓器耦合兩種。固態(tài)繼電器的輸出電路也可分為直流輸出電路,交流輸出電路和交直流輸出電路等形式。交流輸出時,通常使用兩個可控硅或個雙向可控硅,直流輸出時可使用雙極性器件或功率場效應(yīng)管。
2.PHOENIX菲尼克斯繼電器的缺點:
(1)導(dǎo)通后的管壓降大,可控硅或雙相控硅的正向降壓可達1~2V,大功率晶體管的飽和壓漿液災(zāi)1~2V之間,般功率場效應(yīng)管的導(dǎo)通電祖也較機械觸點的接觸電阻大。
(2)半導(dǎo)體器件關(guān)斷后仍可有數(shù)微安數(shù)毫安的漏電流,因此不能實現(xiàn)的電隔離。
(3)由于管壓降大,導(dǎo)通后的功耗和發(fā)熱量也大,大功率固態(tài)繼電器的體積遠遠大于同容量的電磁繼電器,成本也較高。
(4)電子元器件的溫度特性和電子線路的抗干擾能力較差,耐輻射能力也較差,如不采取措施,則工作性低。
(5)PHOENIX菲尼克斯繼電器對過載有較大的敏感性,必須用快速熔斷器或RC阻尼電路對其進行過在保護。固態(tài)繼電器的負載與環(huán)境溫度有關(guān),溫度升高,負載能力將迅速下降。
(6)主要不足是存在通態(tài)壓降(需相應(yīng)散熱措施),有斷態(tài)漏電流,交直流不能通用,觸點組數(shù)少,另外過電流、過電壓及電壓上升率、電流上升率等指標(biāo)差。
說了這么多關(guān)于固態(tài)繼電器的缺點,總結(jié)起來可以歸結(jié)為幾點;抗過載能力差,自身耗能大、需要加足夠大的散熱裝置才能安全工作,應(yīng)用范圍不夠?qū)挼鹊取?br /> (1)高壽命,高:固態(tài)繼電器沒有機械零部件,有固體器件完成觸點功能,由于沒有運動的零部件,因此能在高沖擊、振動的環(huán)境下工作,由于組成固態(tài)繼電器的元器件的固有特性,決定了固態(tài)繼電器的壽命長,性高。
(2)靈敏度高,控制功率小,電磁兼容性好:固態(tài)繼電器的輸入電壓范圍較寬,驅(qū)動功率低,可與大多數(shù)邏輯集成電路兼容不需加緩沖器或驅(qū)動器。
(3)快速轉(zhuǎn)換:固態(tài)繼電器因為采用固體器件,所以切換速度可從幾毫秒幾微妙。
(4)電磁干擾?。汗虘B(tài)繼電器沒有輸入“線圈”,沒有觸點燃弧和回跳,因而減少了電磁干擾。大多數(shù)交流輸出固態(tài)繼電器是個零電壓開關(guān),在零電壓處導(dǎo)通,零電流處關(guān)斷,減少了電流波形的突然中斷,從而減少了開關(guān)瞬態(tài)效應(yīng)。
2.光繼電器的特點
壽命為半性、微小電流驅(qū)動信號、高阻抗緣耐壓、超小型、光傳輸、無接點
3.真空繼電器的特點
(1)真空繼電器是將觸點置于抽成高真空的玻璃殼或陶瓷殼內(nèi),以真空作為滅弧和緣介質(zhì)的繼電器。
(2)真空具有的緣,在狀態(tài)下可能達到80000V/mm的介電常數(shù),真空中由于沒有氧氣,所以在使用過程中不會氧化,這樣,真空繼電器在使用過程中就具有較小而穩(wěn)定的接觸電阻。
(3)真空具有良好的滅弧。真空中的電弧很容易擴散,不易造成觸點的磨損,所以真空繼電器具有壽命長的特點,能夠帶負載開關(guān)。綜合而言,真空繼電器具有耐擊穿電壓高、熄弧快、開斷電流大、體積小、重量輕、壽命長的特點。廣泛應(yīng)用于心臟起搏器、核磁共振成像、高頻天線耦合裝置、雷達、電容器放電等弱電控制強電的域中。
(4)抗電強度高,額定承載電流和轉(zhuǎn)換電流大,觸點接觸電阻小,工作穩(wěn)定,噪聲低,極間分布電容和電感小,觸點開距小,勵磺功率低,開斷速度快,觸點密封,不受周圍環(huán)境的氣壓、水分、沙塵或氣體的影響,適應(yīng)于惡劣環(huán)境中工作。
4.中間繼電器的特點
(1)繼電器采用線圈電壓較低的多個密封小型繼電器組合而成,防潮、防塵、不斷線,性高,克服了電磁型中間繼電器導(dǎo)線過細易斷線的缺點;
(2)功耗小,溫升低,不需外附大功率電阻,可任意安裝及接線方便;繼電器觸點容量大,工作壽命長;
(3)繼電器動作后有發(fā)光管指示,便于現(xiàn)場觀察;
(4)延時只需用面板上的撥碼開關(guān)整定,延時精度高,延時范圍可在0.02-5.00S任意整定。更多相關(guān)資訊可查詢繼電器分析及市研究報告。